Інноваційна flash-пам`ять 3d v-nand від samsung
Представники Samsung оголосили про випуск комплектуючих нового покоління: для виробництва флеш-пам`яті 3D V-NAND вперше буде застосовуватися об`ємна 32-шарова структура зберігання інформації. Завдяки застосованим інновацій вдалося вирішити відразу кілька проблем в 10 нм виробничому процесі. В технології задіяна вертикальна 3D компонування кристалів пам`яті, що дозволяє в кілька разів збільшити обсяг збережених даних на одиницю площі. Зростає і надійність їх зберігання.
Початок розробок датується 2006-м, коли фахівці Samsung розробили технологію схемотехніки 3D ChargeTrap Flash. Уже тоді CTF-структура кристалів демонструвала більш високі показники швидкості роботи і надійності пам`яті. У новій розробці корейців спостерігається півторакратний приріст ємності в порівнянні з попереднім сімейством.
